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BSH205G2A中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSH205G2A
廠商型號

BSH205G2A

功能描述

20 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標識

Q8

封裝外殼

SOT23

文件大小

277.15 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 18:14:00

BSH205G2A規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Trench MOSFET technology

? Very fast switching

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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