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BSM150GB120DN2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BSM150GB120DN2 |
參數(shù)屬性 | BSM150GB120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 210A 1250W |
功能描述 | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
131.29 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Siemens Semiconductor Group |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
SIEMENS【西門子】 |
中文名稱 | 德國西門子股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 19:00:00 |
BSM150GB120DN2規(guī)格書詳情
? Half-bridge
? Including fast free-wheeling diodes
? Package with insulated metal base plate
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
BSM150GB120DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
散裝
- 配置:
半橋
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,150A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 210A 1250W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
Module |
1262 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
IGBT |
2173 |
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INFINEON/英飛凌 |
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23+ |
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7000 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
22+23+ |
MODULE |
35435 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
22+ |
模塊 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
150A/1200V/I |
50 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
EUPEC |
24+ |
55 |
詢價(jià) | ||||
SEMIKRON |
23+ |
模塊 |
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詢價(jià) |