首頁>BSM150GT120DN2>詳情

BSM150GT120DN2_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK浙江永芯

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    BSM150GT120DN2

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon

  • 庫存數(shù)量：

    5000

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-2-2 13:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BSM150GT120DN2品牌：Infineon

原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保

  • 芯片型號：

    BSM150GT120DN2

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    SIEMENS【西門子】詳情

  • 廠商全稱：

    Siemens Semiconductor Group

  • 中文名稱：

    德國西門子股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    182 kb

  • 資料說明：

    IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    BSM150GT120DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    浙江永芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林小姐

  • 手機：

    18758020211

  • 詢價：
  • 電話：

    18758020211

  • 地址：

    中國廣東深圳市深圳市福田區(qū)中航路佳和大廈5C015

相近型號