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BSM200GB120DL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

BSM200GB120DL
廠商型號(hào)

BSM200GB120DL

參數(shù)屬性

BSM200GB120DL 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 420A 1550W

功能描述

IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)

封裝外殼

模塊

文件大小

128.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-6 18:34:00

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BSM200GB120DL規(guī)格書詳情

? Low Loss IGBT

? Low inductance halfbridge

? Including fast free- wheeling diodes

? Package with insulated metal base plate

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSM200GB120DLCHOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,200A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 420A 1550W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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