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BSM35GP120G

Electrical properties IGBT-Modules

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM35GP120GBOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 45A 230W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

APT35GP120B

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GP120BG

PowerSemiconductorsPowerModules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120BG

PowerSemiconductorsPowerModulesRFPowerMOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120BG

POWERMOS7?IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120J

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

BSM35GP120

TechnischeInformation/TechnicalInformation

eupec

eupec GmbH

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BSM35GP120G

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 35A PIM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
EUPEC
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更多BSM35GP120G供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 8:53:00