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BSM50GB120DN2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BSM50GB120DN2 |
| 參數(shù)屬性 | BSM50GB120DN2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 78A 400W |
| 功能描述 | IGBT Power Module |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
260.399 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-10 23:00:00 |
BSM50GB120DN2規(guī)格書詳情
BSM50GB120DN2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSM50GB120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
? Half-bridge
? Including fast free-wheeling diodes
? Package with insulated metal base plate
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BSM50GB120DN2HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，50A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD 1200V 78A 400W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
17048 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價 | ||
EUPEC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon |
13+ |
IGBT |
2 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
德國英飛凌Infineon |
2020+ |
原廠原裝正品 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
INFINEON |
20+ |
原裝模塊 |
368 |
樣品可出,原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
德國英飛凌Infineon |
21+ |
10560 |
十年專營,原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
1926+ |
IGBT |
585 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
EUPEC |
24+ |
201 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 |
