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BSO200N03

OptiMOS?2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSO200N03

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

BSO200N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSO200N03S

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

RMW200N03

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

RMW200N03

4.5VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RQA200N03-TB

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

TSM200N03D

DualN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

UTT200N03

200A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BSO200N03

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEO
2020+
SO-8
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SO-8
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
11+
SO-8
20880
只做原裝,深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
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24+
DSO-8
7500
詢價(jià)
INFINEON
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SOP-8
12000
全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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Infineon
23+
DSO-8
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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原裝正品,假一罰十
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INFINEON
24+
SOP-8
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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SOP-8
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多BSO200N03供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-6 22:30:00