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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BSR110FE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110GE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110JE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110KE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110ME	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS?PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMAJ110CA	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110A	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110CA	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMCJ110A	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BSP110 T/R
功能描述：
MOSFET TAPE-7 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳芯力源電子科技有限公司	BSP110-T/R	PHIL	23+	原廠封裝	5177	現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BSP110115	NXP	22+	TO2614 TO261AA	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	BSP110115	NXP	21+	TO2614 TO261AA	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BSP110115	NXP/恩智浦	23+		10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市朱博士電子科技有限公司	BSP110115	PHI	2405+	原廠封裝	12500	15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐	詢價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	BSP110115	NEXPERIA/安世	21+22+	SOT223	50000	原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	BSP110E6327	INFINEON/英飛凌	21+	SOT-223	950	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BSP110E6327	INFINEON/英飛凌	23+	SOT223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	BSP110E6327	INFINEON/英飛凌	2022	SOT223	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市芯巴巴科技有限公司	BSP110E6327	Infineon/英飛凌	23+		20000	全新、原裝、現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多BSP110 T/R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 10:02:00

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