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BSP52T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:BSP52T1G品牌:ONSEMI
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談
BSP52T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-261-4,TO-261AA的BSP52T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
BSP52T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.3V @ 500μA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 500mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
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