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BSR58LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

BSR58LT1G
廠商型號

BSR58LT1G

參數(shù)屬性

BSR58LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23

功能描述

JFET Chopper Transistor N??hannel ??Depletion
JFET N-CH 40V 350MW SOT23

文件大小

92.2 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-5 20:00:00

BSR58LT1G規(guī)格書詳情

BSR58LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BSR58LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

JFET Chopper Transistor

N?Channel ? Depletion

Features

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BSR58LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    散裝

  • FET 類型:

    N 通道

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 40V 350MW SOT23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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