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BSS63-Q分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BSS63-Q
廠商型號

BSS63-Q

參數(shù)屬性

BSS63-Q 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB

功能描述

PNP high-voltage transistor

絲印標識

BM

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

180.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 9:30:00

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BSS63-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP high-voltage transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

2. Features and benefits

? Low current (max. 100 mA)

? High voltage (max. 100 V)

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? High-voltage general purpose

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BSS63-QR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 2.5mA,25mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 25mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    85MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT-23
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