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BSS84AKQB

Marking：B9；Package：DFN1110D-3；50 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?Sidewettableflanksforoptical

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多BSS84AKQB供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 23:00:00

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