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BSZ100N03MSG	文件：337.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CMP100N03	文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
D100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
FIR100N03DFNG	文件：4.39155 Mbytes Page：7 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03LG	文件：3.4815 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03PG	文件：3.33162 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HLDD100N03	文件：1.00544 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HM100N03	文件：710.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompatible ■Surfacemountpackage. Applications ■DCtoDCconverters ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A) Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RRS100N03-TB	文件：1.00656 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RSH100N03	文件：173.81 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RSS100N03	文件：59.93 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,?10A) Switching(30V,±10A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Applications Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RSS100N03FRA	文件：2.50526 Mbytes Page：15 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RSS100N03HZG	文件：2.51849 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RSS100N03TB	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RXH100N03	文件：1.13347 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
STD100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BSZ100N03MS G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 3 M-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BSZ100N03MSG	Infineon	24+	S3O8	7500		詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	BSZ100N03MSG	INFINEON	09PB	QFN	1570	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	BSZ100N03MSG	Infineon	23+	TDSON-8	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	BSZ100N03MSG	INFINEO	2020+	QFN8	1110	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BSZ100N03MSG	INF	23+	WDFN8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	BSZ100N03MSG	Infineon	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BSZ100N03MSG	Infineon	1726+	QFN8	6528	只做進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十!	詢價(jià)
上海專(zhuān)毅電子科技有限公司	BSZ100N03MSG	Infineon	17+	QFN	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	BSZ100N03MSG	infineon	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	BSZ100N03MSG	INFINEON	22+23+	QFN8	10195	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

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