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BSZ12DN20NS3G_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 200V 11.3A千層芯半導體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
BSZ12DN20NS3G
- 功能描述:
MOSFET N-CH 200V 11.3A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
千層芯半導體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
羅先生,張先生,吳小姐
- 手機:
18998940267
- 詢價:
- 電話:
0755-83978748/0755-23611964
- 傳真:
0755-23611964
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路109號華康大院2棟2層216-1
相近型號
- BSZ130N03LSG
- BSZ123N08NS3GATMA1
- BSZ130N03LSGATMA1
- BSZ123N08NS3GA
- BSZ130N03LSG-HXY
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