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BT110S

SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers

HY

HY ELECTRONIC CORP.

BTS110

TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS110

TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS110

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ110S

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ110S

SIPMOS?PowerTransistor

SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ110SL

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BV-SMAJ110A

TransientVoltageSuppressor

BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd.

檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司

BV-SMAJ110CA

TransientVoltageSuppressor

BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd.

檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司

BV-SMBJ110A

TransientVoltageSuppressor

BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd.

檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司

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更多BT110KPJ供應(yīng)商 更新時間2025-3-24 15:07:00

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