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BTS118D

SmartLowsidePowerSwitch

GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS?technology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features ?LogicLevelInput ?InputProtection(ESD) ?Thermalshutdownwithautorestart ?Greenproduct(RoHScompliant) ?Overloadprotection

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS118D

SmartLowSidePowerSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BU118

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·ExcellentSafeOperatingArea VCE:200V ICM:7A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifier applications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUL118

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BUL118D

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BUL118D

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ?LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=0.5A ?VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BULD118

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BULK118

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION ThedevicesaremanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. TheyuseaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedevicesare

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BULT118

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTORS

Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesacellularemitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BULT118

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BT118

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    F-Thy

  • 性質(zhì)：

    電視 （TV）_行輸出 （HA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    750V

  • 最大電流允許值：

    3.2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BSTCC0253R,BT154,17089,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    750

  • htest：

    999900

  • atest：

    3.2

  • wtest：

    0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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