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BTD2114N3中文資料全宇昕科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BTD2114N3
廠商型號(hào)

BTD2114N3

功能描述

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

文件大小

283.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Cystech Electonics Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CYSTEKEC全宇昕科技

中文名稱

全宇昕科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00

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BTD2114N3規(guī)格書詳情

High Current Gain Medium Power NPN Epitaxial Planar Transistor

AUDIO MUTING APPLICATION

Features

? High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min).

? High DC current gain, hFE=1200(min.) @VCE=3V, IC=10mA.

? Low VCESAT, VCESAT=0.16V typ. @ IC=500mA, IB=20mA.

? Pb-free and halogen-free package.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TE/泰科
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NA/
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