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BTD4512F3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Description ThedeviceismanufacturedinNPNplanartechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ?Verylowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?High

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多BTD4512F3供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 8:30:00

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