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Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor

Features ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LowSaturationVoltage VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A,IB=-100mA). ?Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多BTP2907SL3-0-T3-G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-2 16:12:00

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