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CMD307

8-16GHzLowNoiseAmplifier

QORVO

Qorvo, Inc

CMD307

8-16GHzLowNoiseAmplifier

MMIC

Custom MMIC Design Services, Inc.

CP307

SmallSignalTransistorNPN-SiliconDarlingtonTransistorChip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize27x27MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea5.3x3.8MILS EmitterBondingPadArea5.3x6.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationAu-18,000?

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CR307

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

CSMC307

3.0Amp.SurfaceMountRectifier

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CSPEMI307A

4-ChannelESD/EMIFilterArrayplus4-ChannelESDArrayforUSB

CALMIRCO

California Micro Devices Corp

CSPEMI307A

4-ChannelESD/EMIFilterArrayPlus4-ChannelESDArrayforUSB

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

CSPEMI307A

4-ChannelESD/EMIFilterArrayPlus4-ChannelESD

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

CSPEMI307AG

4-ChannelESD/EMIFilterArrayplus4-ChannelESDArrayforUSB

CALMIRCO

California Micro Devices Corp

CSPEMI307AG

4-ChannelESD/EMIFilterArrayPlus4-ChannelESDArrayforUSB

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號:

    BU307F

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)_行輸出 (HA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    700V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BUT12(A),BUT22CF,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    700

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BU307F

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Power Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多BU307F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 9:28:00