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BU323Z分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BU323Z
廠商型號

BU323Z

參數(shù)屬性

BU323Z 封裝/外殼為TO-218-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 350V 10A SOT93

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-218-3

文件大小

291.98 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 23:00:00

BU323Z規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? With TO-220 packaging

? Very high DC current gain

? Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? AC-DC motor control

? Electronic ignition

? Alternator regulator

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BU323Z

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.7V @ 250mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 5A,4.6V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 10A SOT93

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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