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BU808分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BU808
廠商型號

BU808

參數(shù)屬性

BU808 封裝/外殼為ISOWATT-218-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

功能描述

SINGLE PHASE 8.0 AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

封裝外殼

ISOWATT-218-3

文件大小

138.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Jinan Gude Electronic Device
企業(yè)簡稱

JGD濟南固锝電子

中文名稱

濟南固锝電子器件有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-23 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BU808

  • 別名:

    BU808三極管、BU808晶體管、BU808晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    3PH_MOTOT_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    1500V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BUX88,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    160

BU808規(guī)格書詳情

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Reliable low cost construction

* Plastic material has Underwriters Laboratory flammability classifications 94V.O

* Surge overload rating 200 amperes peak.

產品屬性

  • 產品編號:

    BU808DFI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    400μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    ISOWATT-218-3

  • 供應商器件封裝:

    ISOWATT-218

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
19+
TO
1200
進口原裝現(xiàn)貨
詢價
富晶
23+
SOT23
12000
全新原裝假一賠十
詢價
ST
2018+
TO-3P
6000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰
詢價
ST
23+
QFP
3200
全新原裝、誠信經營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
FUJI
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
ST
23+
TO-220F
28000
原裝正品
詢價
ST
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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24+
TO-3
10000
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19+
TO-3P
66905
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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