BU808分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BU808 |
參數(shù)屬性 | BU808 封裝/外殼為ISOWATT-218-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON |
封裝外殼 | ISOWATT-218-3 |
文件大小 |
72.24 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-9 11:50:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BU808三極管、BU808晶體管、BU808晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質:
3PH_MOTOT_輸出極 (E)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
1500V
- 最大電流允許值:
12A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號:
BUX88,
- 最大耗散功率:
160W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
E-44
- vtest:
1500
- htest:
999900
- atest:
12
- wtest:
160
BU808規(guī)格書詳情
BU808屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的BU808晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
DESCRIPTION
The BU808DFI is a NPN transistor in monolithic Darlington configuration. It is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
■ NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITH INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V )
■ HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 )
■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
■ DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184
APPLICATIONS
■ COST EFFECTIVE SOLUTION FOR HORIZONTAL DEFLECTION IN LOW END TV UP TO 21 INCHES.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BU808DFI
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.6V @ 500mA,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
400μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5A,5V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
ISOWATT-218-3
- 供應商器件封裝:
ISOWATT-218
- 描述:
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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