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BU826

POWER TRANSISTORS(6A,375V,125W)

SWITCHMODESERIESNPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR 6AMPEREPOWERDARLINGTONTRANSISTORS375VOLTS125WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

BU826

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=375V(Min) ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS Designedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: ?Switchingregulators ?Inverters ?Solenoidandrelaydrivers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BU826

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BU826A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=400V(Min) ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS Designedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: ?Switchingregulators ?Inverters ?Solenoidandrelaydrivers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BYM826

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

CD826

MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS

?1N821THRU1N829AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/159 ?MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS ?ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE ?ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N821THRU1N829 ?COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CD826

MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS

?1N821THRU1N829AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/159 ?MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS ?ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE ?ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N821THRU1N829 ?COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CD826A

MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS

?1N821THRU1N829AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/159 ?MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS ?ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE ?ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N821THRU1N829 ?COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CDLL826

TEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CDLL826

TEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES

?1N821UR-1,1N823UR-1,1N825UR-1,1N827UR-1AND1N829UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/159 ?TEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?6.2AND6.55VOLTNOMINALZENERVOLTAGES ?METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGCONSTRU

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

晶體管資料

  • 型號：

    BU826

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    開關管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    800V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

    β>325

  • 圖片代號：

    b-70

  • vtest：

    800

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    125

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BU826

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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ROHM
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BGA
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多BU826供應商 更新時間2025-4-7 16:00:00

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