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BUB323ZT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：BUB323ZT4G品牌：ON/安森美

百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅

BUB323ZT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的BUB323ZT4G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    BUB323ZT4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    85.5 kb

  • 資料說明：

    NPN Silicon Power Darlington

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BUB323ZT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.7V @ 250mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    500 @ 5A，4.6V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市百域芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鄭小姐

  • 手機：

    13043481413

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23616725

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北都會軒4507

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