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BW630HAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
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CED630N	文件：1.73292 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
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CEDF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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晶體管資料

型號：
BUF630
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
700V
最大電流允許值：
6A
最大工作頻率：
>4MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
50W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
700
htest：
4000100
atest：
6
wtest：
50

詳細(xì)參數(shù)

型號：
BUF630
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BUF630供應(yīng)商更新時間2024-12-22 10:50:00

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