BUJ303B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BUJ303B |
參數(shù)屬性 | BUJ303B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220AB |
功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
文件大小 |
352.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | WeEn Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
WEEN【瑞能半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-12-23 19:46:00 |
BUJ303B規(guī)格書詳情
BUJ303B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司制造生產(chǎn)的BUJ303B晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BUJ303B,127
- 制造商:
WeEn Semiconductors
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 1A,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
23 @ 800mA,3V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
TRANS NPN 400V 5A TO220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
09+ |
TO-220 |
150 |
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TO-220 |
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SOT78TO-220AB |
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