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BUJ303B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BUJ303B
廠商型號

BUJ303B

參數(shù)屬性

BUJ303B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220AB

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor
TRANS NPN 400V 5A TO220AB

文件大小

352.5 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 WeEn Semiconductors
企業(yè)簡稱

WEEN瑞能半導(dǎo)體

中文名稱

瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-23 19:46:00

BUJ303B規(guī)格書詳情

BUJ303B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司制造生產(chǎn)的BUJ303B晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BUJ303B,127

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1A,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    23 @ 800mA,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 5A TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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