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BUK638-500B

PowerMOS transistor Fast recovery diode FET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelope. FREDFETwithfastrecoveryreversediode,particularlysuitableformotorcontrolapplications,eg.infullbridgeconfigurationsforwhichfasterrecoverycharacteristicssimplifydesignforinductive

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUK638-500B

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUK638-500B

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    PowerMOS transistor Fast recovery diode FET

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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PHILIPS/飛利浦
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更多BUK638-500B供應商 更新時間2025-1-18 14:30:00

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