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BUK6D210-60E

Marking：5G；Package：DFN2020MD-6；60 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?Sidewettableflanksforo

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多BUK6D210-60E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 10:34:00

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