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BUK6D38-30E中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BUK6D38-30E
廠商型號(hào)

BUK6D38-30E

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

6B

封裝外殼

DFN2020MD-6

文件大小

284.27 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 10:16:00

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BUK6D38-30E規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1.5 kV HBM (class H1C)

? Trench MOSFET technology

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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