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BUK6D81-80E

Marking：4W；Package：DFN2020MD-6；80 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?Sidewettableflanksforo

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多BUK6D81-80E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 11:59:00

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