首頁>BUK6E4R0-75C>詳情

BUK6E4R0-75C_IXYS_MOSFETN CH75V120ASOT226威爾健半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    BUK6E4R0-75C

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS/IXYS Corporation

  • 庫存數(shù)量：

    69820

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252AA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-16 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BUK6E4R0-75C品牌：IXYS/艾賽斯

終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!

  • 芯片型號：

    BUK6E4R0-75C

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱：

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱：

    安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    760.08 kb

  • 資料說明：

    N-channel TrenchMOS FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    BUK6E4R0-75C

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFETN CH75V120ASOT226

  • 功能描述：

    MOSFET,N CH,75V,120A,SOT226

  • 功能描述：

    MOSFET,N CH,75V,120A,SOT226, Transistor

  • Polarity：

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id：

    120A, Drain Source Voltage

  • Vds：

    120V, On Resistance

  • Rds(on)：

    3600ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V, Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    2.3V, Power , RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    何妮妮

  • 手機(jī)：

    18124040553

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82573210

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17e

相近型號