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BUK752R7-30B

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUK752R7-30B

N-channel TrenchMOS standard level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BUK752R7-30B

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PH
24+
SOT78TO-220AB
8866
詢價
NXP
16+
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8800
誠信經(jīng)營
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更多BUK752R7-30B供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 14:36:00