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BUK78150-55

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.Itisintendedforuseina

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUK78150-55

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUK78150-55A

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BUK78150-55A

TrenchMOSstandardlevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS?technology ■Q101compliant ■150°Crated ■Standardlevelcompatible. Applications ■Automotiveandgene

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多BUK78150-55A/CUX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 20:53:00

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