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BUK7E11-55B中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK7E11-55B
廠商型號

BUK7E11-55B

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

320.9 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-6 22:30:00

BUK7E11-55B規(guī)格書詳情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for standard level gate drive

sources

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK7E11-55B

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
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