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BUK9507-30B

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits Lo

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BUK9507-30B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUK9507-30B

TrenchMOSlogiclevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingPhilipsHigh-PerformanceAutomotive(HPA)TrenchMOS?technology. Productavailability: BUK9507-30BinSOT78(TO-220AB) BUK9607-30BinSOT404(D2-PAK). Features ■Lowon-stateresis

PhilipsNXP Semiconductors

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更多BUK9507-30B-VB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 9:00:00

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