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BUK9520-55A中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9520-55A
廠商型號

BUK9520-55A

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

457.01 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 10:33:00

BUK9520-55A規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

? Low conduction losses due to low

on-state resistance

? Q101 compliant

? Suitable for logic level gate drive

sources

? Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

? 12 V and 24 V loads

? Automotive and general purpose

power switching

? Motors, lamps and solenoids

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUK9520-55A

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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