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BUK9E6R1-100E中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

BUK9E6R1-100E
廠商型號(hào)

BUK9E6R1-100E

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

絲印標(biāo)識(shí)

BUK9E6R1-100E

封裝外殼

I2PAK

文件大小

333.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 20:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BUK9E6R1-100E

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 120A I2PA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
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