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BUK9Y07-30B

N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits ?L

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BUK9Y07-30B

N-channel TrenchMOS logic level FET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BUK9Y07-30B_15

N-channel TrenchMOS logic level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUK9Y07-30B

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    Cut Tape

  • 功能描述：

    MOSFET N CH 30V 75A LFPAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 30V, 75A, LFPAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 30V, 75A, LFPAK; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    75A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    30V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.004ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    1.5V; No. of

  • Pins：

    4 ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 30V 75A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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更多BUK9Y07-30B供應商 更新時間2024-11-15 15:00:00

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