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BUL642D2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 825V貿(mào)澤芯城一部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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1+
  • 廠家型號：

    BUL642D2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    35400

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-TO-220

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-5-29 11:09:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BUL642D2G品牌：ON/安森美

原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種

  • 芯片型號：

    BUL642D2G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    101.28 kb

  • 資料說明：

    High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector??mitter and Built??n Efficient Antisaturation Network

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    BUL642D2G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 825V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機：

    18923718265

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

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