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BUL65B中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BUL65B
廠商型號(hào)

BUL65B

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

272.82 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-29 8:30:00

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BUL65B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 250V(Min)

·DC Current Gain-

: hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A

APPLICATIONS

·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor

drivers, inverter

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BUL65B

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全稱:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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