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BUP213分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

BUP213
廠商型號(hào)

BUP213

參數(shù)屬性

BUP213 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 32A 200W TO220

功能描述

IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

110.33 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BUP213

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,15A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    70ns/400ns

  • 測試條件:

    600V,15A,82 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 1200V 32A 200W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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