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BURNDY_YF1012IW	文件：260.29 Kbytes Page：2 Pages	Elect Cu Single Insul Wire Ferrules, Smooth Funnel Entry, 10 AWG, 0.79 L, Tin Plated, Black, For use on Cu Cond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
BURNDY_YF1012UI	文件：258.709 Kbytes Page：2 Pages	CuAlloyBareFerrule,SmoothFunnelEntry,10AWG,0.47L,Seamlessbbl,TinPlated,ForUseOnCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
BXMF1012	文件：64.37 Kbytes Page：1 Pages	FrequencyMultiplier(x15)	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BXMP1012	文件：42.85 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
BXMP1012	文件：80.17 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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CEB1012	文件：371.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CED1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CFA1012	文件：139.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR TO-220FPFullyIsolatedPlasticPackage ComplementaryCFC2562 HighCurrentSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CFP-1012TB	文件：451.75 Kbytes Page：5 Pages	PIANOSWITCHES(FULLPITCH)	COPALCopal Electronics 尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司	COPAL
CHM1012LPAPT	文件：199.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE120VoltsCURRENT10Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM1012PAPT	文件：198.6 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ1012	文件：2.82626 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU

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更多BURNDY_YF1012IW供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 15:00:00

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