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BUZ20中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BUZ20
廠商型號(hào)

BUZ20

功能描述

Nanosecond Switching Speeds

文件大小

66.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 23:00:00

BUZ20規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? 12A, 100V

? rDS(ON) = 0.200Ω

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority Carrier Device

? Related Literature

APPLICATIONS

? This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power

field effect transistor designed for applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

This type can be operated directly from integrated circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BUZ20

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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