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BYM200B170DN2_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 200A維爾達電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
BYM200B170DN2
- 功能描述:
IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 200A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市維爾達電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連先生
- 手機:
13544094624
- 詢價:
- 電話:
0755-83465779
- 傳真:
0755-83465779
- 地址:
深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318
相近型號
- BYM13-60-E3/97
- BYM26C
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