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BYM200B170DN2_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 200A深圳珩瑞科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BYM200B170DN2
- 功能描述:
IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 200A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市珩瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李小姐
- 手機(jī):
18898790342
- 詢價(jià):
- 電話:
18898790342
- 傳真:
0755-82578309
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北海外裝飾大廈B座7B33
相近型號(hào)
- BYM13-60-E3/97
- BYM26C
- BYM13-60-E3/96
- BYM26C/20
- BYM13-60-E3/26
- BYM26C133
- BYM13-60-E3
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- BYM13-60/26
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- BYM26D/A52R
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- BYM13-40HE3/97
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- BYM300A170DN2
- BYM1340E396
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- BYM13-40-E3/97
- BYM300B120DN2
- BYM300B170DN2
- BYM13-40-E3/96
- BYM300B170DN2HOSA1
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