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BZD27C8V2P-HE3-08_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管-齊納-單-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠家型號：

    BZD27C8V2P-HE3-08

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管-齊納-單

  • 封裝外殼：

    DO-219AB

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-12-26 15:00:00

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原廠料號：BZD27C8V2P-HE3-08品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說明：DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB

BZD27C8V2P-HE3-08是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝DO-219AB的BZD27C8V2P-HE3-08二極管 - 齊納 - 單齊納二極管可用于以反向擊穿模式工作，并根據(jù)以這種方式使用時的行為來分類。這些器件可用作電壓基準(zhǔn)或限壓用途，還可以用作類似于整流二極管的單向電流閥，但它們在這種模式下的性能通常不如專用器件理想。該系列產(chǎn)品的每個器件封裝恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。

  • 芯片型號：

    bzd27c8v2p-he3-08

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BZD27C8V2P-HE3-08

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101, BZD27C

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 175°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    DO-219AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-219AB（SMF）

  • 描述：

    DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB

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