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BZX55C18	文件：695.33 Kbytes Page：3 Pages	Low zener impedance ZenerVoltage:2.4-180VPeakPulsePower:500mW FEATURE ?Lowzenerimpedance ?Lowregulationfactor ?Glasspassivatedjunction ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
BZX55C18	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	SILIICON PLANAR ZENER DIODES BZX55C2.4Vto120V500mW BestsuitedforIndustrial,MilitaryandSpaceApplications.Theglasspassivateddiodechipinthehermeticallysealedglasspackagewithdoublestudsprovidesexcellentstabilityandreliability.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BZX55C18	文件：116.1 Kbytes Page：4 Pages	0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES FEATURES .ThezenervoltagearegradedaccordingtotheinternationalE24standard.Othervoltagetoleranceandhigherzenervoltageonrequest.	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗電子上海商朗電子科技有限公司	CHENYI
BZX55C18	文件：60.5 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR ZENER DIODES FEATURES ·VoltageRange:2.7Vto75V ·Doublesiugtypeconstruction	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
BZX55C18	文件：199.63 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES FEATURES VoltageRange:2.4Vto39V Doubleslugtypeconstruction	DCCOM Dc Components	DCCOM
BZX55C18	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	500mW ZENER DIODE Features ?VerySharpReverseCharacteristic ?LowReverseCurrentLevel ?VeryHighStability ?LowNoise	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BZX55C18	文件：683.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon planar power zener diodes POWERDISSIPATION:500mW FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Thezenervoltagesaregradedaccordingtothe internationalE24standard.Standardzenervoltage toleranceis±5.ReplacesuffixCwithBfor±2, ReplacesuffixCwithAfor±1. othervoltagetolerancean	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BZX55C18	文件：28.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES VZ:2.4-200Volts PD:500mW FEATURES: Complete2.4to200Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability *Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C18	文件：41.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES FEATURES: Complete2.0to100Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C18	文件：23.72 Kbytes Page：1 Pages	Series Half Watt Zeners BZX55C3V3-33SeriesHalfWattZeners	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
BZX55C18
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單
包裝：
散裝
容差：
±6%
工作溫度：
-65°C ~ 200°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝：
DO-35
描述：
DIODE ZENER 18V 500MW DO35

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