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C0603C102J5HACAUTO

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：0603（1608 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 1000PF 50V X8R 0603

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5HACAUTO

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：0603（1608 公制） 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 1000PF 50V X8R 0603

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C0603C102J5HACTU

Ceramic,150C-(CxxxxC),1000pF,5,50V,0603,X8R,SMD,MLCC,HighTemperature,Ultra-Stable

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

nxpNXP Semiconductors

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,15dB18dBmInGaPHBTGPA TheMMG3009NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,19dB16dBmInGaPHBTGPA TheMMG3007NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

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C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

0-6000MHz,19dB18.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3012NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq

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C0603C102J5RACAUTO

SMDAutoX7R,Ceramic,1000pF,5,50VDC,X7R,SMD,MLCC,TemperatureStable,AutomotiveGrade,0603

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C0603C102J5RACTU

Ceramic,Commercial-(CxxxxC),1000pF,5,50V,0603,X7R,SMD,MLCC,TemperatureStable,ClassII

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C0603C102J5RECTU

ESDSMDCommX7R,Ceramic,ElectroStaticDischarge,1000pF,5,50VDC,X7R,SMD,MLCC,TemperatureStable,ElectroStaticDischarge,ClassII,0603

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    C0603C102J5HACAUTO

  • 制造商：

    KEMET

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    SMD Auto X8R HT150C

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    ±5%

  • 電壓 - 額定：

    50V

  • 溫度系數(shù)：

    X8R

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C

  • 特性：

    低 ESL，高溫

  • 等級：

    AEC-Q200

  • 應(yīng)用：

    汽車級

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    0603（1608 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.034"（0.87mm）

  • 描述：

    CAP CER 1000PF 50V X8R 0603

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多C0603C102J5HACAUTO供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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