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C1623

High DC current gain hFE 200(Typ)VCE 6V, IC 1mA

FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V

MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份(香港)有限公司

C16220

Asymmetric IESNA Type I (short) beam designed for tilted poles

LEDILLEDiL

萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C16226

Fulfils EN13201 M-class requirements where road width is equal to or less the pole height.

LEDILLEDiL

萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C16248

Wide IESNA Type IV beam with forward-throw beam for wide area lighting like car parks.

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萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C16254

Wide IESNA Type IV beam with forward-throw beam for wide area lighting like car parks.

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C16255

~14? smooth spot beam

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C16263

~25? spot beam compatible

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萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C16264

~35? medium beam compatible

LEDILLEDiL

萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C16265

~60? wide beam compatible

LEDILLEDiL

萊迪爾萊迪爾公司LEDIL

C1627

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多C162供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 11:00:00